图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 Power Products Catalog APTM20DAM04G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 372A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5 mOhm @ 186A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 10mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 560nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 28900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1250W |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | SP6 |
| 供应商器件封装 | SP6 |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 5SP6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 372 A |
| RDS -于 | 5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 32 ns |
| 典型上升时间 | 64 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 88 ns |
| 典型下降时间 | 116 ns |
| 工作温度 | -40 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 372A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 10mA |
| 供应商设备封装 | SP6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 mOhm @ 186A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1250W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 28900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 560nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SP6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | RoHS Compliant |
APTM20DAM04G也可以通过以下分类找到
APTM20DAM04G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
