microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 12Case SP6 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 208 A |
| RDS -于 | 10@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 32 ns |
| 典型上升时间 | 64 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 88 ns |
| 典型下降时间 | 116 ns |
| 工作温度 | -40 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 208A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 5mA |
| 供应商设备封装 | SP6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10 mOhm @ 104A, 10V |
| FET型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| 功率 - 最大 | 781W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 14400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 280nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SP6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
