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规格书 |
APTGT100A60T1G Power Products Catalog |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1 |
IGBT 型 | Trench and Field Stop |
配置 | Half Bridge |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 150A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.1nF @ 25V |
功率 - 最大 | 340W |
输入 | Standard |
NTC Thermistor | Yes |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SP1 |
供应商器件封装 | SP1 |
包装 | 12Case SP1 |
配置 | Dual |
引脚数 | 12 |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
最大连续集电极电流 | 150 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Screw |
标准包装 | Bulk |
供应商封装形式 | Case SP1 |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 150 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
最大集电极发射极电压 | 600 |
最大功率耗散 | 340000 |
最低工作温度 | -40 |
输入电容(Cies ) @ Vce时 | 6.1nF @ 25V |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 150A |
IGBT类型 | Trench and Field Stop |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 1.9V @ 15V, 100A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
供应商设备封装 | SP1 |
功率 - 最大 | 340W |
封装/外壳 | SP1 |
输入 | Standard |
NTC热敏电阻 | Yes |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
产品 | IGBT Silicon Modules |
品牌 | Microsemi |
Pd - Power Dissipation | 340 W |
连续集电极电流在25 C | 150 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
安装风格 | Screw |
最低工作温度 | - 40 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
最高工作温度 | + 100 C |
RoHS | RoHS Compliant |
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