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数量:9 |
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规格书 |
APTGT100A120T3AG |
包装 | 20Case SP-3 |
配置 | Dual |
引脚数 | 20 |
最大集电极发射极电压 | 1200 V |
最大连续集电极电流 | 140 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Screw |
标准包装 | Bulk |
输入电容(Cies ) @ Vce时 | 7.2nF @ 25V |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 140A |
IGBT类型 | Trench and Field Stop |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.1V @ 15V, 100A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V |
供应商设备封装 | SP3 |
功率 - 最大 | 595W |
封装/外壳 | SP3 |
输入 | Standard |
NTC热敏电阻 | Yes |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
栅极 - 射极漏泄电流 | 400 nA |
产品 | IGBT Silicon Modules |
品牌 | Microsemi |
连续集电极电流在25 C | 140 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
安装风格 | Screw |
最低工作温度 | - 40 C |
Pd - Power Dissipation | 595 W |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.7 V |
最高工作温度 | + 100 C |
RoHS | RoHS Compliant |
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