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厂商型号

APT50GN120L2DQ2G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 134A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX

内部编号

253-APT50GN120L2DQ2G

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:98
1+¥121.5743
10+¥110.4972
25+¥102.1552
50+¥96.6851
100+¥93.2662
250+¥85.1294
500+¥79.7276
1000+¥71.1121
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:71
1+¥132.9944
10+¥120.8894
25+¥111.8243
100+¥102.7584
250+¥93.6912
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APT50GN120L2DQ2G产品详细规格

规格书 APT50GN120L2DQ2G datasheet 规格书
APT50GN120L2DQ2G datasheet 规格书
Power Products Catalog
APT50GN120L2DQ2(G)
APT50GN120L2DQ2G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 NPT, Trench and Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- 集电极电流(Ic)(最大) 134A
功率 - 最大 543W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装 264 MAX™ [L2]
包装材料 Tube
包装 3TO-264 MAX
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 134 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-264 MAX
最大栅极发射极电压 ±30
最大连续集电极电流 134
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
最大功率耗散 543000
最低工作温度 -55
引脚数 3
栅极电荷 315nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 134A
安装类型 Through Hole
开关能量 4495µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 28ns/320ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 *
封装 Tube
功率 - 最大 543W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-264-3, TO-264AA
IGBT类型 NPT, Trench and Field Stop
测试条件 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 150A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 31
栅极 - 射极漏泄电流 600 nA
集电极 - 发射极饱和电压 1.7 V
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
连续集电极电流Ic最大 134 A
最高工作温度 + 150 C
品牌 Microsemi
Pd - Power Dissipation 543 W
连续集电极电流在25 C 134 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
身高 5.21 mm
安装风格 Through Hole
宽度 20.5 mm
长度 26.49 mm
最低工作温度 - 55 C
技术 Si
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 134 A

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