图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 Power Products Catalog APT50GF60JU2 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| IGBT 型 | NPT |
| 配置 | Single |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 40µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.25nF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 277W |
| 输入 | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | ISOTOP |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 包装 | 4SOT-227 |
| 配置 | Single |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 75 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 2.25nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 75A |
| IGBT类型 | NPT |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 40µA |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.7V @ 15V, 50A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | SOT-227 |
| 功率 - 最大 | 277W |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 连续集电极电流在25 C | 75 A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 商品名 | ISOTOP |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 277 W |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 身高 | 9.6 mm |
| 安装风格 | Screw |
| 宽度 | 25.4 mm |
| 长度 | 38.2 mm |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 100 nA |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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