1. APT100GN120J
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

APT100GN120J 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 153A 4-Pin SOT-227

内部编号

253-APT100GN120J

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:15
1+¥230.9091
5+¥220.5158
10+¥213.6097
25+¥196.3104
50+¥190.4299
100+¥181.4042
250+¥166.6347
500+¥153.5064
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:12
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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APT100GN120J产品详细规格

规格书 APT100GN120J datasheet 规格书
APT100GN120J datasheet 规格书
APT100GN120J
Power Products Catalog
APT100GN120J datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
IGBT 型 Trench and Field Stop
配置 Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
- 集电极电流(Ic)(最大) 153A
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
功率 - 最大 446W
输入 Standard
NTC Thermistor No
安装类型 Chassis Mount
包/盒 ISOTOP
供应商器件封装 ISOTOP®
包装 4SOT-227
配置 Single Dual Emitter
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 153 A
最大栅极发射极电压 ±30 V
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
输入电容(Cies ) @ Vce时 6.5nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 153A
IGBT类型 Trench and Field Stop
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 100A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 ISOTOP®
功率 - 最大 446W
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
输入 Standard
NTC热敏电阻 No
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 15
产品 IGBT Silicon Modules
商品名 ISOTOP
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
品牌 Microsemi
连续集电极电流在25 C 153 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
封装 Bulk
安装风格 Screw
宽度 25.4 mm
长度 38.2 mm
栅极 - 射极漏泄电流 600 nA
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 446 W
集电极 - 发射极饱和电压 1.7 V
身高 9.6 mm
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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