microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-227 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 V |
| 最大连续集电极电流 | 153 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±30 V |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 6.5nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 153A |
| IGBT类型 | Trench and Field Stop |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 200µA |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.1V @ 15V, 100A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | ISOTOP® |
| 功率 - 最大 | 446W |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 600 nA |
| 连续集电极电流在25 C | 153 A |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 446 W |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.7 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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