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厂商型号

PEMH17,115 

产品描述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-666 T/R

内部编号

229-PEMH17-115

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

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美国加州
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PEMH17,115产品详细规格

规格书 PEMH17,115 datasheet 规格书
PEMH17,115 datasheet 规格书
标准包装 4,000
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 47k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 22k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 60 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
频率转换 -
功率 - 最大 300mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-563, SOT-666
供应商器件封装 SOT-666
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
包装 6SOT-666
配置 Dual
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 60@5mA@5V
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最低工作温度 -65
最大集电极发射极饱和电压 0.15@0.5mA@10mA
包装宽度 1.3(Max)
PCB 6
最大功率耗散 300
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 SOT-666
标准包装名称 SOT-666
最高工作温度 150
包装长度 1.7(Max)
引脚数 6
包装高度 0.6(Max)
典型输入电阻 47
封装 Tape and Reel
典型电阻器比率 2.13
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 47k
电流 - 集电极截止(最大) 1µA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SOT-666
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 22k
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 SOT-563, SOT-666
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 5mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 4000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 NPN
典型输入电阻 47 KOhms
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
最低工作温度 - 65 C
最高工作温度 + 150 C
零件号别名 PEMH17 T/R
RoHS RoHS Compliant

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