图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 10k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SOT-666 |
| 配置 | Dual |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 50 V |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最小直流电流增益 | 30@5mA@5V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 10k |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 5mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN |
| 典型输入电阻 | 10 KOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 零件号别名 | PEMH11 T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-11266-1 |
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