#1 |
数量:129 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:186 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:34 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
IXT(Y,A,P)08N50D2 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Depletion Mode |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 800mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.6 Ohm @ 400mA, 0V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 12.7nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 312pF @ 25V |
功率 - 最大 | 60W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 4.83(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 60000 |
最大漏源电压 | 500 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 4600@0V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.66(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 9.15(Max) |
最大连续漏极电流 | 0.8(Min) |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Depletion Mode |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 800mA (Tc) |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.6 Ohm @ 400mA, 0V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 60W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 312pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 12.7nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 0.8 A |
系列 | IXTP08N50 |
单位重量 | 0.081130 oz |
RDS(ON) | 4.6 Ohms |
功率耗散 | 60 W |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 500 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.6 Ohms |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Pd - Power Dissipation | 60 W |
通道数 | 1 Channel |
技术 | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 800 mA |
品牌 | IXYS |
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