1. IXTP08N50D2
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厂商型号

IXTP08N50D2 

产品描述

MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA

内部编号

184-IXTP08N50D2

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:129
1+¥10.8036
10+¥9.2309
100+¥7.3847
500+¥6.4616
1000+¥5.3539
2500+¥4.9642
5000+¥4.7864
10000+¥4.424
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:186
1+¥13.4811
10+¥12.1469
25+¥10.8435
100+¥9.7601
250+¥8.6754
500+¥7.591
1000+¥6.2896
2500+¥5.8559
5000+¥5.639
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:34
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXTP08N50D2产品详细规格

规格书 IXTP08N50D2 datasheet 规格书
IXT(Y,A,P)08N50D2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 800mA
Rds(最大)@ ID,VGS 4.6 Ohm @ 400mA, 0V
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS 12.7nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 312pF @ 25V
功率 - 最大 60W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
安装 Through Hole
包装宽度 4.83(Max)
PCB 3
最大功率耗散 60000
最大漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 4600@0V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.66(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 9.15(Max)
最大连续漏极电流 0.8(Min)
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Depletion Mode
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 800mA (Tc)
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.6 Ohm @ 400mA, 0V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 60W
标准包装 50
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 312pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 12.7nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 0.8 A
系列 IXTP08N50
单位重量 0.081130 oz
RDS(ON) 4.6 Ohms
功率耗散 60 W
安装风格 Through Hole
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 500 V
RoHS RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Rds On - Drain-Source Resistance 4.6 Ohms
晶体管类型 1 N-Channel
Pd - Power Dissipation 60 W
通道数 1 Channel
技术 Si
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 800 mA
品牌 IXYS

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