IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Depletion Mode |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 800mA (Tc) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 325pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14.6nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.8 A |
| 系列 | IXTP08N100 |
| 单位重量 | 0.081130 oz |
| RDS（ON） | 21 Ohms |
| 功率耗散 | 60 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1000 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 800 mA |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21 Ohms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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