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厂商型号

IXGQ28N120B 

产品描述

IGBT Transistors 28 Amps 1200 V 3.5 Rds

内部编号

184-IXGQ28N120B

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
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美国加州
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IXGQ28N120B产品详细规格

规格书 IXGQ28N120B datasheet 规格书
IXGQ28N120B/BD1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 28A
- 集电极电流(Ic)(最大) 50A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-3P
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 50
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.9(Max)
标准包装名称 TO-3P
包装高度 20.3(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 250000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
标签 Tab
PCB 3
包装长度 15.8(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
栅极电荷 92nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50A
安装类型 Through Hole
标准包装 30
开关能量 2mJ (Off)
时间Td(开/关) @ 25°C 30ns/180ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.5V @ 15V, 28A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-3P
反向恢复时间(trr ) 40ns
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 150A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
连续集电极电流Ic最大 50 A
系列 IXGQ28N120
单位重量 0.194007 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
身高 20.3 mm
宽度 4.9 mm
长度 15.8 mm
技术 Si

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