图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXGQ85N33PCD1 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| IGBT 型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 330V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 85A |
| 功率 - 最大 | 150W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大栅极发射极电压 | ±30 |
| 最大连续集电极电流 | 85 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 4.9(Max) |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 150000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大集电极发射极电压 | 330 |
| 标签 | Tab |
| PCB | 3 |
| 包装长度 | 15.8(Max) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 80nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 85A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 30 |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 20ns/87ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 3V @ 15V, 100A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 330V |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 反向恢复时间（trr ） | 250ns |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 测试条件 | 240V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
IXGQ85N33PCD1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
