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厂商型号

IXGP20N120BD1 

产品描述

IGBT Transistors 20 Amps 1200 V 3.4 Rds

内部编号

184-IXGP20N120BD1

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
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美国加州
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IXGP20N120BD1产品详细规格

规格书 IXGP20N120BD1 datasheet 规格书
IXGP20N120B/BD1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
- 集电极电流(Ic)(最大) 40A
功率 - 最大 190W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.83(Max)
标准包装名称 TO-220
包装高度 9.15(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 190000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
标签 Tab
PCB 3
包装长度 10.66(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 72nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 40A
安装类型 Through Hole
标准包装 50
开关能量 2.1 mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 25ns/150ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.4V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-220
封装 Tube
功率 - 最大 190W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 100A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
连续集电极电流Ic最大 40 A
系列 IXGP20N120
单位重量 0.081130 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
身高 9.15 mm
宽度 4.83 mm
长度 10.66 mm
技术 Si

IXGP20N120BD1系列产品

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