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厂商型号

IXGP16N60B2 

产品描述

IGBT Transistors 16 Amps 600V 2.3 V Rds

内部编号

184-IXGP16N60B2

生产厂商

IXYS

ixys

#1

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美国费城
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IXGP16N60B2产品详细规格

规格书 IXGP16N60B2 datasheet 规格书
IXG(A,P)16N60B2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 12A
- 集电极电流(Ic)(最大) 40A
功率 - 最大 150W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.83(Max)
标准包装名称 TO-220
包装高度 9.15(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 150000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 10.66(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 24nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 40A
安装类型 Through Hole
开关能量 160µJ (on), 120µJ
标准包装 50
时间Td(开/关) @ 25°C 18ns/73ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.3V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
封装 Tube
功率 - 最大 150W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 PT
测试条件 400V, 12A, 22 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 100A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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