1. IXGH36N60B3C1
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厂商型号

IXGH36N60B3C1 

产品描述

IGBT Transistors 75Amps 600V

内部编号

184-IXGH36N60B3C1

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:43
1+¥340.244
10+¥303.4571
25+¥294.2946
100+¥275.8328
250+¥257.4394
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:135
1+¥382.3589
10+¥357.5691
25+¥330.6978
100+¥310.0292
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:30
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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IXGH36N60B3C1产品详细规格

规格书 IXGH36N60B3C1 datasheet 规格书
IXGH36N60B3C1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
- 集电极电流(Ic)(最大) 75A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 75
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.3(Max)
标准包装名称 TO-247
包装高度 21.46(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 250000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 16.26(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 80nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 75A
安装类型 Through Hole
开关能量 390µJ (on), 800µJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 20ns/125ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.8V @ 15V, 30A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
测试条件 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 200A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
删除 Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 75 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 TO-247
工作温度(最大) 150C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
工作温度(最小值) -55C
集电极电流(DC ) 75 A
工厂包装数量 30
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流Ic最大 200 A
宽度 5.3 mm
安装风格 Through Hole
连续集电极电流在25 C 75 A
品牌 IXYS
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
商品名 GenX3
最高工作温度 + 150 C
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
长度 16.26 mm
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
连续集电极电流 75 A
集电极 - 发射极饱和电压 1.5 V
系列 IXGH36N60
身高 21.46 mm
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 250 W
技术 SiC

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