IXGH12N120A2D1

产品描述

MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds

内部编号

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数量:0

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美国加州
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Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	30
IGBT 型	-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	-
- 集电极电流（Ic）（最大）	12A
功率 - 最大	-
Input 型	Standard
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247
包装材料	Tube
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	12A
安装类型	Through Hole
标准包装	30
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	1200V
供应商设备封装	TO-247
封装	Tube
输入类型	Standard
封装/外壳	TO-247-3
工厂包装数量	30
系列	IXGH12N120
单位重量	0.229281 oz
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1200 V
品牌	IXYS
Id - Continuous Drain Current	24 A
安装风格	Through Hole
Rds On - Drain-Source Resistance	2.7 Ohms
技术	Si

型号	厂家	产品描述
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IXGH12N60C	IXYS	IGBT Transistors 20 Amps 600V 2.7 Rds
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IXGH12N90C	IXYS	IGBT Transistors 24 Amps 900V 3 Rds
IXGH120N30B3	IXYS	IGBT Transistors 120 Amps 300V
IXGH120N30C3	IXYS	IGBT Transistors 120 Amps 300V
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IXGH10N100A	IXYS	MOSFET 10 Amps 1000V 4 Rds
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IXGH15N120B	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.2 Rds
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IXGH15N120BD1	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.2 Rds
IXGH15N120CD1	IXYS	IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.8 Rds
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IXGH16N170A	IXYS	IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 5 V Rds

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