图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXFT23N60Q 

产品描述

MOSFET 23 Amps 600V 0.32W Rds

内部编号

184-IXFT23N60Q

生产厂商

IXYS

IXYS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXFT23N60Q产品详细规格

规格书 IXFT23N60Q datasheet 规格书
IXF(H,T)23N60Q
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 23A
Rds(最大)@ ID,VGS 320 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 4mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 90nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3300pF @ 25V
功率 - 最大 400W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装 TO-268
包装材料 Bulk
最大门源电压 ±30
安装 Surface Mount
包装宽度 14(Max)
PCB 2
最大功率耗散 400000
最大漏源电压 600
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 320@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-268
标准包装名称 TO-268-AA
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 16.05(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 5.1(Max)
最大连续漏极电流 23
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 23A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 4mA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 1
供应商设备封装 TO-268
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 320 mOhm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 400W
封装/外壳 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 3300pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 90nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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