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规格书 |
IXFT(10,12)N100 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1000V (1kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.05 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 4mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 155nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
供应商器件封装 | TO-268 |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 14(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 300000 |
最大漏源电压 | 1000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 1050@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-268 |
标准包装名称 | TO-268-AA |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 16.05(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 5.1(Max) |
最大连续漏极电流 | 12 |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 4mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V (1kV) |
标准包装 | 30 |
供应商设备封装 | TO-268 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 300W |
封装/外壳 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4000pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 155nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 30 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 12 A |
系列 | IXFT12N100 |
单位重量 | 0.158733 oz |
RDS(ON) | 1.05 Ohms |
功率耗散 | 300 W |
安装风格 | SMD/SMT |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
上升时间 | 33 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 1000 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 32 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 14 mm |
品牌 | IXYS |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | HyperFET |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 12 A |
长度 | 16.05 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.05 Ohms |
身高 | 5.1 mm |
典型导通延迟时间 | 21 ns |
Pd - Power Dissipation | 300 W |
技术 | Si |
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