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厂商型号

IXFT12N100 

产品描述

MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds

内部编号

184-IXFT12N100

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
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美国加州
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IXFT12N100产品详细规格

规格书 IXFT12N100 datasheet 规格书
IXFT(10,12)N100
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.05 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 4mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 155nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4000pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装 TO-268
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 14(Max)
PCB 2
最大功率耗散 300000
最大漏源电压 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1050@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-268
标准包装名称 TO-268-AA
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 16.05(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 5.1(Max)
最大连续漏极电流 12
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 4mA
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
标准包装 30
供应商设备封装 TO-268
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.05 Ohm @ 6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
封装/外壳 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 4000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 155nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 12 A
系列 IXFT12N100
单位重量 0.158733 oz
RDS(ON) 1.05 Ohms
功率耗散 300 W
安装风格 SMD/SMT
典型关闭延迟时间 62 ns
上升时间 33 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 1000 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 32 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
宽度 14 mm
品牌 IXYS
通道数 1 Channel
商品名 HyperFET
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 12 A
长度 16.05 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.05 Ohms
身高 5.1 mm
典型导通延迟时间 21 ns
Pd - Power Dissipation 300 W
技术 Si

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