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规格书 |
IXF(C,R)36N50P |
文档 |
Multiple Devices 13/Dec/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 19A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 190 mOhm @ 18A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 4mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 93nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 156W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | ISOPLUS220™ |
供应商器件封装 | ISOPLUS220™ |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 5(Max) |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | ISOPLUS 220 |
包装高度 | 16(Max) |
安装 | Through Hole |
最大功率耗散 | 156000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 190@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 500 |
每个芯片的元件数 | 1 |
标签 | Tab |
供应商封装形式 | ISOPLUS 220 |
包装长度 | 11(Max) |
PCB | 3 |
最大连续漏极电流 | 19 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 19A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 4mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | ISOPLUS220™ |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 190 mOhm @ 18A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 156W |
封装/外壳 | ISOPLUS220™ |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 93nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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