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厂商型号

IXFC14N60P 

产品描述

MOSFET 600V 14A

内部编号

184-IXFC14N60P

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
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美国费城
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IXFC14N60P产品详细规格

规格书 IXFC14N60P datasheet 规格书
IXFC14N60P
文档 Multiple Devices 13/Dec/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8A
Rds(最大)@ ID,VGS 630 mOhm @ 7A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5.5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 36nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2500pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 Through Hole
包/盒 ISOPLUS220™
供应商器件封装 ISOPLUS220™
包装材料 Tube
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5(Max)
通道模式 Enhancement
标准包装名称 ISOPLUS 220
包装高度 16(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 100000
渠道类型 N
最大漏源电阻 630@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 600
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 ISOPLUS 220
包装长度 11(Max)
PCB 3
最大连续漏极电流 8
引脚数 3
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5.5V @ 2.5mA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 50
供应商设备封装 ISOPLUS220™
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 630 mOhm @ 7A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 125W
封装/外壳 ISOPLUS220™
输入电容(Ciss ) @ VDS 2500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 36nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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