1. IXTP08N100D2
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXTP08N100D2 

产品描述

MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA

内部编号

184-IXTP08N100D2

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:1103
1+¥10.8036
10+¥9.2309
100+¥7.3847
500+¥6.4616
1000+¥5.3539
2500+¥4.9642
5000+¥4.7864
10000+¥4.424
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:388
1+¥13.4811
10+¥12.1469
25+¥10.8435
100+¥9.7601
250+¥8.6754
500+¥7.591
1000+¥6.2896
2500+¥5.8559
5000+¥5.639
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXTP08N100D2产品详细规格

规格书 IXTP08N100D2 datasheet 规格书
IXT(Y,A,P)08N100D2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion Mode
漏极至源极电压(VDSS) 1000V (1kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 800mA
Rds(最大)@ ID,VGS 21 Ohm @ 400mA, 0V
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS 14.6nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 325pF @ 25V
功率 - 最大 60W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
FET特点 Depletion Mode
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 800mA (Tc)
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 21 Ohm @ 400mA, 0V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 60W
标准包装 50
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
输入电容(Ciss ) @ VDS 325pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 14.6nC @ 5V
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 0.8 A
系列 IXTP08N100
单位重量 0.081130 oz
RDS(ON) 21 Ohms
功率耗散 60 W
安装风格 Through Hole
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 1000 V
RoHS RoHS Compliant
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
品牌 IXYS
Id - Continuous Drain Current 800 mA
Pd - Power Dissipation 60 W
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 21 Ohms
晶体管类型 1 N-Channel
技术 Si

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