IXTA300N04T2

产品描述

MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds

内部编号

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数量:9

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美国加州
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规格书	IXT(A,P)300N04T2
标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	300A
Rds（最大）@ ID，VGS	2.5 mOhm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	145nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	10700pF @ 25V
功率 - 最大	480W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	TO-263
包装材料	Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	300A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	40V
标准包装	50
供应商设备封装	TO-263
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	2.5 mOhm @ 500mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	480W
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容（Ciss ） @ VDS	10700pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	145nC @ 10V
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	300 A
系列	IXTA300N04
单位重量	0.056438 oz
RDS（ON）	2.5 mOhms
功率耗散	480 W
安装风格	SMD/SMT
配置	Single
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	40 V
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
晶体管类型	1 N-Channel
品牌	IXYS
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
通道数	1 Channel
技术	Si
Rds On - Drain-Source Resistance	2.5 mOhms
Pd - Power Dissipation	480 W
Id - Continuous Drain Current	300 A

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