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厂商型号

IXFT23N80Q 

产品描述

MOSFET 23 Amps 800V 0.40W Rds

内部编号

184-IXFT23N80Q

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
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美国加州
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IXFT23N80Q产品详细规格

规格书 IXFT23N80Q datasheet 规格书
IXF(H,T)23N80Q
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 800V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 23A
Rds(最大)@ ID,VGS 420 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 3mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 130nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4900pF @ 25V
功率 - 最大 500W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装 TO-268
包装材料 Bulk
最大门源电压 ±30
安装 Surface Mount
包装宽度 14(Max)
PCB 2
最大功率耗散 500000
最大漏源电压 800
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 420@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-268
标准包装名称 TO-268-AA
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 16.05(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 5.1(Max)
最大连续漏极电流 23
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 23A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 3mA
漏极至源极电压(Vdss) 800V
标准包装 1
供应商设备封装 TO-268
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 420 mOhm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500W
封装/外壳 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 4900pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 130nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 23 A
系列 IXFT23N80
单位重量 0.158733 oz
RDS(ON) 420 mOhms
功率耗散 500 W
安装风格 SMD/SMT
典型关闭延迟时间 74 ns
上升时间 27 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 800 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
宽度 14 mm
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
品牌 IXYS
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 23 A
长度 16.05 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 420 mOhms
身高 5.1 mm
典型导通延迟时间 28 ns
Pd - Power Dissipation 500 W
技术 Si

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