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数量:10001 |
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规格书 |
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文档 |
D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 24A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 100 mOhm @ 14A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 86nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1960pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.8W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 24 A |
RDS -于 | 100@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
典型上升时间 | 32 ns |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
典型下降时间 | 16 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | D2PAK |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 100@10V |
最大漏源电压 | 200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | D2PAK |
最大功率耗散 | 3800 |
最大连续漏极电流 | 24 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 24A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 100 mOhm @ 14A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.8W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1960pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 86nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IRFS23N20DTRLPCT |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 24 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 100 mOhms |
功率耗散 | 170 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | D2PAK |
配置 | Single |
漏源击穿电压 | 200 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 57 nC |
Current,Drain | 24A |
GateCharge,Total | 57nC |
PackageType | D2Pak |
极化方式 | N-Channel |
PowerDissipation | 170W |
Resistance,DraintoSourceOn | 0.1Ohm |
Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
Time,Turn-OffDelay | 26ns |
Time,Turn-OnDelay | 14ns |
Transconductance,Forward | 13S |
Voltage,Breakdown,DraintoSource | 200V |
Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
Voltage,GatetoSource | ±30V |
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