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数量:10001 |
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| 规格书 |
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| 文档 |
D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 24A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 100 mOhm @ 14A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 86nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1960pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| RDS -于 | 100@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 典型上升时间 | 32 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 16 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 100@10V |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 3800 |
| 最大连续漏极电流 | 24 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 24A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 14A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1960pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 86nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRFS23N20DTRLPCT |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 24 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 100 mOhms |
| 功率耗散 | 170 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 57 nC |
| Current,Drain | 24A |
| GateCharge,Total | 57nC |
| PackageType | D2Pak |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 170W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.1Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 26ns |
| Time,Turn-OnDelay | 14ns |
| Transconductance,Forward | 13S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 200V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
| Voltage,GatetoSource | ±30V |
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