international rectifier
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| RDS -于 | 90@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 32 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 典型下降时间 | 8.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3800 |
| 最大漏源电压 | 150 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 90@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 23 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 23A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 90 mOhm @ 14A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1200pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 56nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRFS23N15DTRLPCT |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 23 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 90 mOhms |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 90 mOhm @ 14A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 23A (Tc) |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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