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文档 |
Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 IRFP064NPBF Spice Model IRFP064NPBF Saber Model |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 25 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 110A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 59A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 170nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 200W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-247AC |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 55 V |
最大连续漏极电流 | 110 A |
RDS -于 | 8@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
典型上升时间 | 100 ns |
典型关闭延迟时间 | 43 ns |
典型下降时间 | 70 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 5.31(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 200000 |
最大漏源电压 | 55 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 8@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-247AC |
标准包装名称 | TO-247 |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 15.87(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 20.7(Max) |
最大连续漏极电流 | 110 |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
封装 | Bulk |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 110A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
供应商设备封装 | TO-247AC |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8 mOhm @ 59A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 200W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4000pF @ 25V |
其他名称 | *IRFP064NPBF |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 170nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
身高 | 20.3mm |
长度 | 15.9mm |
最大漏源电阻 | 0.008 Ω |
最高工作温度 | +175 °C |
最大功率耗散 | 200 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-247AC |
典型栅极电荷@ VGS | 170 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 4000 pF V @ 25 |
宽度 | 5.3mm |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 98 A |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 150 W |
封装/外壳 | TO-247AC |
漏源击穿电压 | 55 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 113.3 nC |
漏极电流(最大值) | 110 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.008 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 55 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
Continuous Drain Current Id | :98A |
Drain Source Voltage Vds | :55V |
On Resistance Rds(on) | :8mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :150W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TO-247AC |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Current Id Max | :110A |
Current Temperature | :25°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Junction to Case Thermal Resistance A | :1°C/W |
引线间距 | :5.45mm |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
Pulse Current Idm | :390A |
端接类型 | :Through Hole |
Voltage Vds Typ | :55V |
Voltage Vgs Max | :4V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Weight (kg) | 0.006 |
Tariff No. | 85412900 |
Current,Drain | 110A |
GateCharge,Total | 170nC |
PackageType | TO-247AC |
极化方式 | N-Channel |
PowerDissipation | 200W |
Resistance,DraintoSourceOn | 0.008Ohm |
Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
Time,Turn-OffDelay | 43ns |
Time,Turn-OnDelay | 14ns |
Transconductance,Forward | 42S |
Voltage,Breakdown,DraintoSource | 55V |
Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
Voltage,GatetoSource | ±20V |
案例 | TO247AC |
Gate charge | 113.3nC |
Transistor kind | HEXFET |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 150W |
Drain-source voltage | 55V |
极化 | unipolar |
Drain current | 98A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 7.88 g |
gate-source voltage | 20V |
On-state resistance | 8mΩ |
Collective package [pcs] | 250 |
Junction-to-case thermal resistance | 1K/W |
spg | 250 |
associated | 4597 EYGA121807A EYGA091203SM 120-5. FK 243 MI 247 O FK 243 MI 247 H More> |
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