vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 70 A |
| RDS -于 | 18@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.1 ns |
| 典型上升时间 | 250 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 70 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 18 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 190 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 上升时间 | 250 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 下降时间 | 250 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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