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数量:10001 |
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| 规格书 |
 IRF7353D2PbF |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 33nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A |
| RDS -于 | 29@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8.1 ns |
| 典型上升时间 | 8.9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 典型下降时间 | 18 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 6.5 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 46 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 封装 | Reel |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 寿命 | New At Mouser |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 650pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 33nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF7353D2PBFDKR |
| RDS（ON） | 46 mOhms |
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