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| 规格书 |
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| 文档 |
IRF7103Q Spice Model IRF7103Q Saber Model |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 255pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 包装 | 8SOIC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 130@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 5.1 ns |
| 典型上升时间 | 1.7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 2.3 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Cut Tape (CT) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2.4W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 255pF @ 25V |
| 其他名称 | IRF7103QTRPBFCT |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 案例 | SO8 |
| Transistor type | N-MOSFET x2 |
| 功率 | 2.4W |
| Drain-source voltage | 50V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 3A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
| associated | 80-4-5 |
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