图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:172 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:172 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:47 |
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最小起订量:1 加州 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
IRF2804LPBF Saber Model IRF2804LPBF Spice Model Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 75A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 mOhm @ 75A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 240nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6450pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 280 A |
| RDS -于 | 2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 120 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 mOhm @ 75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 6450pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 240nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 0.002 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 330 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 160 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 6450 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 280 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2.3 mOhms |
| 功率耗散 | 330 W |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 上升时间 | 120 ns |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 130 ns |
| 漏极电流（最大值） | 280 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.002 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :75A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :2mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :300mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Base Number | :2804 |
| Current Id Max | :270A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Pulse Current Idm | :1080A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :40V |
| Voltage Vgs Max | :4V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Drain | 75A |
| GateCharge,Total | 160nC |
| PackageType | D2Pak |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 330W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 1.5Milliohms |
| Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 130ns |
| Time,Turn-OnDelay | 13ns |
| Transconductance,Forward | 130S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 40V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 案例 | D2PAK |
| Gate charge | 160nC |
| Transistor kind | HEXFET |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 330W |
| Drain-source voltage | 40V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 280A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 2.31 g |
| gate-source voltage | 20V |
| On-state resistance | 2.3mΩ |
| Collective package [pcs] | 50 |
| Junction-to-case thermal resistance | 450mK/W |
| spg | 50 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D2 PAK FK 244 08 D2 PAK |
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