厂商型号:

IRF2804STRLPBF

芯天下内部编号:
176-IRF2804STRLPBF
生产厂商:

international rectifier

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 40 V
最大连续漏极电流 280 A
RDS -于 2@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 120 ns
典型关闭延迟时间 130 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 75A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2 mOhm @ 75A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 300W
输入电容(Ciss ) @ VDS 6450pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 240nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IRF2804STRLPBFCT
工厂包装数量 800
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 270 A
正向跨导 - 闵 130 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 2 mOhms
功率耗散 300 W
封装/外壳 D2PAK
栅极电荷Qg 240 nC
上升时间 120 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 40 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 130 ns
漏极电流(最大值) 280 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.002 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 D2PAK
引脚数 2 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 40 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Current,Drain 75A
GateCharge,Total 160nC
PackageType D2Pak
极化方式 N-Channel
PowerDissipation 200W
Resistance,DraintoSourceOn 1.8Milliohms
Temperature,Operating,Maximum +175°C
Temperature,Operating,Minimum -55°C
Time,Turn-OffDelay 130ns
Time,Turn-OnDelay 13ns
Transconductance,Forward 130S
Voltage,Breakdown,DraintoSource 40V
Voltage,Forward,Diode 1.3V
Voltage,GatetoSource ±20V
案例 D2PAK
Transistor type N-MOSFET
功率 330W
Drain-source voltage 40V
极化 unipolar
Drain current 280A
Multiplicity 800
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 800
spg 800

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