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厂商型号

AUIRF1010ZSTRR 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

176-AUIRF1010ZSTRR

#1

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美国加州
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AUIRF1010ZSTRR产品详细规格

规格书 AUIRF1010ZSTRR datasheet 规格书
AUIRF1010ZSTRR datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 75A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.5 mOhm @ 75A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 95nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2840pF @ 25V
功率 - 最大 140W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 94 A
RDS -于 7.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 150 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型下降时间 92 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
工厂包装数量 800
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 94 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 7.5 mOhms
封装 Reel
功率耗散 140 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 D2PAK
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
RoHS指令 RoHS Compliant Part
案例 D2PAK
Transistor type N-MOSFET
功率 140W
Drain-source voltage 55V
极化 unipolar
Drain current 94A
Multiplicity 800
Gross weight 0.43 g
Package type roll
Collective package [pcs] 800
spg 800

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