规格书 |
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文档 |
AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 75A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 95nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2840pF @ 25V |
功率 - 最大 | 140W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tube |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 55 V |
最大连续漏极电流 | 94 A |
RDS -于 | 7.5@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型上升时间 | 150 ns |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
典型下降时间 | 92 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 75A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
供应商设备封装 | D²PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 140W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2840pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 95nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
渠道类型 | N |
配置 | Dual Drain, Single |
外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
身高 | 4.83mm |
长度 | 10.67mm |
最大漏源电阻 | 7.5 mΩ |
最高工作温度 | +175 °C |
最大功率耗散 | 140 W |
最低工作温度 | -55 °C |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | D2PAK |
引脚数 | 4 |
典型栅极电荷@ VGS | 63 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 2840 pF V @ 25 |
宽度 | 9.65mm |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 94 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 7.5 mOhms |
功率耗散 | 140 W |
漏源击穿电压 | 55 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 63 nC |
栅源电压(最大值) | �20 V |
漏源导通电阻 | 0.0075 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 55 V |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
案例 | D2PAK |
Gate charge | 63nC |
Transistor kind | HEXFET |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 140W |
Drain-source voltage | 55V |
极化 | unipolar |
Drain current | 94A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 1.25 g |
gate-source voltage | 20V |
On-state resistance | 7.5mΩ |
Collective package [pcs] | 30 |
Junction-to-case thermal resistance | 1.11K/W |
spg | 30 |
associated | AUIRS2123S SLALOM D2 PAK AUIRS2003S |
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