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厂商型号

AUIRF1010ZS 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

内部编号

176-AUIRF1010ZS

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

AUIRF1010ZS产品详细规格

规格书 AUIRF1010ZS datasheet 规格书
AUIRF1010ZS datasheet 规格书
文档 AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 75A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.5 mOhm @ 75A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 95nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2840pF @ 25V
功率 - 最大 140W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Tube
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 55 V
最大连续漏极电流 94 A
RDS -于 7.5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 150 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型下降时间 92 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 75A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
供应商设备封装 D²PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.5 mOhm @ 75A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 140W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 2840pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 95nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
渠道类型 N
配置 Dual Drain, Single
外形尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
身高 4.83mm
长度 10.67mm
最大漏源电阻 7.5 mΩ
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 140 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 D2PAK
引脚数 4
典型栅极电荷@ VGS 63 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 2840 pF V @ 25
宽度 9.65mm
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 94 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 7.5 mOhms
功率耗散 140 W
漏源击穿电压 55 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 63 nC
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.0075 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 55 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
案例 D2PAK
Gate charge 63nC
Transistor kind HEXFET
Transistor type N-MOSFET
功率 140W
Drain-source voltage 55V
极化 unipolar
Drain current 94A
Multiplicity 1
Gross weight 1.25 g
gate-source voltage 20V
On-state resistance 7.5mΩ
Collective package [pcs] 30
Junction-to-case thermal resistance 1.11K/W
spg 30
associated AUIRS2123S
SLALOM D2 PAK
AUIRS2003S

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