图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:30000 |
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最小起订量:3000 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:17272 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:30456 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 SMBT2907A, MMBT2907A |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 150mA, 10V |
| 功率 - 最大 | 330mW |
| 频率转换 | 200MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 330mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SMBT2907AINDKR |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz (Min) |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 最大功率耗散 | 330 mW |
| 系列 | SMBT2907 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 75 at 100 uA at 10 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | SMBT2907AE6327HTSA1 SP000011181 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 45000 |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 长度 | 2.9 mm |
| 连续集电极电流 | 600 mA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.6 V |
| 身高 | 1 mm |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 330 mW |
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