Infineon Technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 5mA, 50mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | PG-SOT363-6 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 330mW |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 10mA, 1V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 系列 | SMBT3906 |
| 零件号别名 | SMBT3906SH6327XTSA1 SP000749596 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 晶体管极性 | PNP |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 连续集电极电流 | 200 mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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