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| 规格书 |
 IPB(I,P)80N06S3-07 |
| 文档 |
Multiple Devices 22/Jul/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.8 mOhm @ 51A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 80µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 170nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7768pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 135W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 80µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.8 mOhm @ 51A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 135W |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7768pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 170nC @ 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| RDS（ON） | 6.8 mOhms |
| 功率耗散 | 135 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 零件号别名 | IPI80N06S307XK |
| 上升时间 | 41 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 33 ns |
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