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| 规格书 |
 BQ4013(Y,LY) |
| 文档 |
Multiple Devices 04/Jun/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 12 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小 | 1M (128K x 8) |
| 速度 | 85ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 包/盒 | 32-DIP Module (0.61, 15.49mm) |
| 供应商器件封装 | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 32DIP Module |
| 类型 | NVSRAM |
| 总线类型 | Parallel |
| 密度 | 1 Mb |
| 组织 | 128Kx8 |
| 数据总线宽度 | 8 Bit |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 封装 | Tray |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 供应商设备封装 | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| 内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 电压 - 电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 封装/外壳 | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 85ns |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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