texas instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 32DIP Module |
| 类型 | NVSRAM |
| 总线类型 | Parallel |
| 密度 | 1 Mb |
| 组织 | 128Kx8 |
| 数据总线宽度 | 8 Bit |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 标准包装 | Trays |
| 产品种类 | NVRAM |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 接口类型 | Parallel |
| 访问时间 | 85 ns |
| 电源电压 - 最大 | 5.5 V |
| 电源电压 - 最小 | 4.75 V |
| 工作电流 | 50 mA |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 封装/外壳 | DIP Module |
| 封装 | Tube |
| 安装风格 | Through Hole |
| 工厂包装数量 | 12 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 18.8(Max) |
| PCB | 32 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 典型工作电源电压 | 5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 1M |
| 最低工作温度 | 0 |
| 供应商封装形式 | DIP Module |
| 标准包装名称 | DIP Module |
| 最高工作温度 | 70 |
| 数据总线宽度 | 8 |
| Package Length | 43.18(Max) |
| 最低工作电源电压 | 4.75 |
| 引脚数 | 32 |
| Maximum Operating Current | 50 |
| Package Height | 9.53(Max) |
| 最大随机存取时间 | 85 |
| 最大工作电源电压 | 5.5 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 供应商设备封装 | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| 内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 电压 - 电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 85ns |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 供应商器件封装 | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| 存储器类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 电压 - 电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 接口 | Parallel |
| 封装/外壳 | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| 速度 | 85ns |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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