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厂商型号

BQ4013LYMA-70N 

产品描述

NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 32-Pin DIP Module

内部编号

136-BQ4013LYMA-70N

生产厂商

texas instruments

ti

#1

数量:509
1+¥284.4686
25+¥264.2044
100+¥253.3404
500+¥243.3239
1000+¥231.15
最小起订金额:¥₩600
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#2

数量:509
1+¥284.4686
25+¥264.2044
100+¥253.3404
500+¥243.3239
1000+¥231.15
最小起订金额:¥₩600
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#3

数量:1044
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BQ4013LYMA-70N产品详细规格

规格书 BQ4013LYMA-70N datasheet 规格书
BQ4013LYMA-70N datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 12
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小 1M (128K x 8)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 32-DIP Module (0.61, 15.49mm)
供应商器件封装 32-DIP Module (18.42x42.8)
包装材料 Tray
包装 32DIP Module
类型 NVSRAM
总线类型 Parallel
密度 1 Mb
组织 128Kx8
数据总线宽度 8 Bit
工作电源电压 3.3 V
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Rail / Tube
安装 Through Hole
包装宽度 18.8(Max)
PCB 32
筛选等级 Industrial
典型工作电源电压 3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 1M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 DIP Module
标准包装名称 DIP Module
最高工作温度 85
数据总线宽度 8
接口类型 Parallel
包装长度 43.18(Max)
最低工作电源电压 3
引脚数 32
最大工作电流 50
包装高度 9.53(Max)
最大随机存取时间 70
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Through Hole

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