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数量:21214 |
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| 规格书 |
 ZXMN6A11G SERIES |
| 文档 |
ZVN4206GV_footprnt |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.7nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 330pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 3.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 3900 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 120@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 6.7(Max) |
| 引脚数 | 4 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4.4 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 2W |
| 匹配代码 | ZXMN6A11G |
| 包装 | SOT223 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 99 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 4.4A |
| V（ DS ） | 60V |
| R（ DS上） | 0.12Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 其他名称 | ZXMN6A11GTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 330pF @ 40V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.7nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 4.4 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 180 mOhms |
| 功率耗散 | 3.9 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 8.2 ns |
| 上升时间 | 3.5 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.12 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
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