规格书 |
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文档 |
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 3.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 166pF @ 40V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 4SOT-89 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 2.5 A |
RDS -于 | 250@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 1.8 ns |
典型上升时间 | 1.4 ns |
典型关闭延迟时间 | 4.9 ns |
典型下降时间 | 2 ns |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Cut Tape |
最大门源电压 | ±20 |
引脚数 | 4 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
包装宽度 | 2.6(Max) |
标准包装名称 | SOT-89 |
包装高度 | 1.6(Max) |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 250@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
标签 | Tab |
供应商封装形式 | SOT-89 |
包装长度 | 4.6(Max) |
PCB | 3 |
最大连续漏极电流 | 2.5 |
最大功率耗散 | 2600 |
铅形状 | Flat |
P( TOT ) | 2.6W |
匹配代码 | ZXMN6A07Z |
单位包 | 1000 |
标准的提前期 | 99 weeks |
最小起订量 | 1000 |
极化 | N-CHANNEL |
无铅Defin | RoHS-conform |
我(D ) | 2.5A |
V( DS ) | 60V |
R( DS上) | 0.25Ohm |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.9A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
供应商设备封装 | SOT-89-3 |
其他名称 | ZXMN6A07ZTR |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.5W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 166pF @ 40V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 3.2nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-243AA |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single Dual Drain |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 2.2 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 250 mOhms |
功率耗散 | 2.6 W |
封装/外壳 | SOT-89 |
上升时间 | 1.4 ns |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 2 ns |
栅源电压(最大值) | �20 V |
漏源导通电阻 | 0.25 ohm |
包装类型 | SOT-89 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
漏源导通电压 | 60 V |
弧度硬化 | No |
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