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| 规格书 |
 ZXMN10A08E6TC |
| 文档 |
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 10,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 7.7nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 405pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SOT-23 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A |
| RDS -于 | 250@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 3.4 ns |
| 典型上升时间 | 2.2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 典型下降时间 | 3.2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 1.8(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 1700 |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 250@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.1(Max) |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 1.3(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 10000 |
| 最小起订量 | 10000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 405pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.7nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.9 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 250 mOhms |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 2.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | MOSFET |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 1.9 A |
| 长度 | 3.1 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| 系列 | ZXMN10 |
| 身高 | 1.3 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
| 技术 | Si |
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