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规格书 |
ZXMN10B08E6 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 230 mOhm @ 1.6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 9.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 497pF @ 50V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-23-6 |
供应商器件封装 | SOT-23-6 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.6A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
供应商设备封装 | SOT-23-6 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 230 mOhm @ 1.6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.1W |
标准包装 | 10,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 497pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 9.2nC @ 10V |
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