1. ZXMN10B08E6TC
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厂商型号

ZXMN10B08E6TC 

产品描述

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

内部编号

110-ZXMN10B08E6TC

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

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美国费城
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ZXMN10B08E6TC产品详细规格

规格书 ZXMN10B08E6TC datasheet 规格书
ZXMN10B08E6
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.6A
Rds(最大)@ ID,VGS 230 mOhm @ 1.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 9.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 497pF @ 50V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6
供应商器件封装 SOT-23-6
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.6A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
封装/外壳 SOT-23-6
供应商设备封装 SOT-23-6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 230 mOhm @ 1.6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.1W
标准包装 10,000
漏极至源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS 497pF @ 50V
闸电荷(Qg ) @ VGS 9.2nC @ 10V

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