规格书 |
MMBT3904LP Datasheet |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 200mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 10mA, 1V |
功率 - 最大 | 250mW |
频率转换 | 300MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 3-UFDFN |
供应商器件封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 10 mA, 1 V |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | X1-DFN1006-3 |
连续集电极电流 | 200 mA |
最大功率耗散 | 250 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Reel |
寿命 | New At Mouser |
集电极最大直流电流 | 0.2 |
最低工作温度 | -55 |
安装 | Surface Mount |
Maximum Transition Frequency | 300(Min) |
包装宽度 | 0.6 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 250 |
类型 | NPN |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
供应商封装形式 | DFN |
标准包装名称 | DFN |
最高工作温度 | 150 |
Package Length | 1 |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V... |
Package Height | 0.47 |
最大基地发射极电压 | 6 |
单位包 | 10000 |
最小起订量 | 10000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 200mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 300MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 5mA, 50mA |
标准包装 | 10,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
功率 - 最大 | 250mW |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 10mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | MMBT3904LP-7BDICT |
频率 - 跃迁 | 300MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA, 50mA |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA, 1V |
功率 - 最大值 | 250mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.3 V |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
工厂包装数量 | 10000 |
系列 | MMBT39 |
品牌 | Diodes Incorporated |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
身高 | 0.5 mm |
长度 | 1 mm |
集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
集电极最大直流电流 | 200 mA |
配置 | Single |
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