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厂商型号:

MMBT3904

芯天下内部编号:
3-MMBT3904
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 0.2 A
最小直流电流增益 40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V
最大工作频率 300(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.2@1mA@10mA|0.3@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 60 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 350 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-23
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
其他名称 MMBT3904FSTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 General Purpose
配置 Single
最大的基射极饱和电压 0.95 V
最大基地发射极电压 6 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 SOT-23
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.35 W
工作温度范围 -55C to 150C
元件数 1
直流电流增益(最小值) 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 300 MHz
直流电流增益 40
集电极电流(DC ) 0.2 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :40V
Transition Frequency ft :300MHz
功耗 :350mW
DC Collector Current :200mA
DC Current Gain hFE :30
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85411000
Collector Emitter Voltage Vces :200mV
连续集电极电流Ic最大 :200mA
Current Ic Continuous a Max :200mA
Current Ic hFE :10mA
Device Marking :BT3904
Gain Bandwidth ft Min :300MHz
Gain Bandwidth ft Typ :300MHz
Hfe Min :100
No. of Transistors :1
Noise Factor Max :5dB
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :350mW
SMD Marking :1A
Voltage Vcbo :60V

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