1. BS170P
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厂商型号

BS170P 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line

内部编号

110-BS170P

生产厂商

diodes, inc

diodes

#1

数量:11172
1+¥6.2166
10+¥5.4343
100+¥4.1903
500+¥3.1041
1000+¥2.4833
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#2

数量:4000
最小起订金额:¥₩600
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#3

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新加坡
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原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BS170P产品详细规格

规格书 BS170P datasheet 规格书
文档 TO-92 Side
TO-92 Front
TO-92 Pin Out
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 270mA
Rds(最大)@ ID,VGS 5 Ohm @ 200mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 60pF @ 10V
功率 - 最大 625mW
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
包装 3E-Line
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 0.27 A
RDS -于 5000@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
包装高度 4.01(Max)
最大功率耗散 625
渠道类型 N
最大漏源电阻 5000@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 60
每个芯片的元件数 1
包装宽度 2.41(Max)
供应商封装形式 E-Line
包装长度 4.77(Max)
PCB 3
最大连续漏极电流 0.27
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Logic Level Gate
封装 Bulk
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 270mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 1mA
供应商设备封装 TO-92-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5 Ohm @ 200mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 625mW
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 60pF @ 10V
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :270mA
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :5ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :625mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :E-Line
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :270mA
Current Temperature :25°C
Device Marking :BS170P
Full Power Rating Temperature :25°C
引线间距 :1.27mm
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm :3A
Voltage Vds Typ :60V
Voltage Vgs Max :20V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.000001
Tariff No. 85412900
associated EYGA121807A
EYGA091203SM
MPX02P
MPX05GFNB

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