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ON Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 5000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Formed |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 500mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 其他名称 | BS170RLRAOSTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 60pF @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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