Toshiba Corporation- IGBT

东芝株式会社是一家日本跨国综合企业，总部位于东京港区，由芝浦制作所和东京电气于1939年合并成立，历史可追溯至1875年。核心业务涵盖半导体、存储解决方案、基础设施系统和数字解决方案等领域。在半导体领域，东芝提供分立器件、光电器件、模拟IC和微控制器等丰富产品线。重点产品系列包括光耦TLP系列、功率MOSFET（如SSM和DT系列）以及IGBT模块（如MG系列）。东芝还推出基于ARM的TXZ系列微控制器，用于嵌入式应用，以及面向工业和汽车市场的电机驱动IC。自1986年以来，东芝一直位居全球光电器件和分立半导体供应商第一位，行业地位显著。其技术优势体现在专有半导体工艺和高效功率器件上，如碳化硅（SiC）功率产品。东芝电子器件与存储事业群持续在物联网、汽车和数据中心等领域推动创新。凭借卓越的品质和可靠性传承，东芝成为全球电子制造商值得信赖的合作伙伴。

IGBT - 型号列表

共 1,304 个型号

制造商零件编号	库存	价格	安装类型	标准包装数量	最大栅源电压 Vgs	封装形式	通道类型	工作温度	下降时间（典型）	击穿电压	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	传播延迟（最大）	峰值脉冲电流（10/1000µs）	RoHS	FET类型	FET特性	最大功率	Vgs(th)（最大）@ Id	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	漏源电压（Vdss）	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	连续漏极电流（Id）@ 25°C	包装方式	供应商器件封装	配置	集电极截止电流（最大）	供电电压	栅极触发电压 Vgt (最大)	高度	长度	引脚数	包装数量	功能	最小输入电压	产品类别	工厂包装数量	下降时间	额定功率	输出功能	上升时间（典型）	晶体管类型	通道数量	元件数量	输入电阻	平均正向功率	最大功耗	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	导通电阻（最大）	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	宽度	安装样式	冷却的封装	尺寸/外形	位数	系列	技术	制造商全称	卡标准
2SK2398 Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN toshiba	-		Through Hole	Rail / Tube	±20 V	3TO-3PN	Enhancement	-55 to 150 °C	40 ns	60 V	30@10V mOhm	20 ns	45 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK3068TE24L Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL/SM T/R toshiba	-		Through Hole	Tape & Reel	±30 V	3TO-220FL/SM	Enhancement	-55 to 150 °C	36 ns	500 V	520@10V mOhm	22 ns	12 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2776TE24L Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL T/R toshiba	-		Through Hole	Tape & Reel	±30 V	3TO-220FL	Enhancement	-55 to 150 °C	40 ns	500 V	850@10V mOhm	26 ns	8 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2611T Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN toshiba	-		Through Hole	Rail / Tube	±30 V	3TO-3PN	Enhancement	-55 to 150 °C	20 ns	900 V	1400@10V mOhm	25 ns	9 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2847 Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS toshiba	-		Through Hole	Rail / Tube	±30 V	3TO-3P(N)IS	Enhancement	-55 to 150 °C	20 ns	900 V	1400@10V mOhm	25 ns	8 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2917 Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-3P toshiba	-		Through Hole	Rail / Tube	±30 V	3TO-3P	Enhancement	-55 to 150 °C	50 ns	500 V	270@10V mOhm	30 ns	18 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TPCA6006-H(TE12LQM TPCA6006-H(TE12LQ, MALAYSIA toshiba	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SJ360(TE12R,F) Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R toshiba	-		Surface Mount	Tape & Reel	±20 V	4PW-Mini	P	-55 to 150 °C	20 ns	60 V	730@10V mOhm	17 ns	1 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SJ438(Q) Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS toshiba	583	50: ¥6.95	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	3TO-220NIS	P	-55 to 150 °C	55 ns	60 V	190@10V mOhm	25 ns	5 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SJ537(Q) Trans MOSFET P-CH 50V 5A 3-Pin TO-92 Mod toshiba	-		Through Hole	Bulk	±20 V	3TO-92 Mod	P	-55 to 150 °C	20 ns	50 V	190@10V mOhm	25 ns	5 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2173(F) Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN toshiba	10	100: ¥19.8098	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	3TO-3PN	Enhancement	-55 to 150 °C	60 ns	60 V	17@10V mOhm	25 ns	50 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK2233(F) Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) toshiba	-		Through Hole	Rail / Tube	±20 V	3TO-3P(N)	Enhancement	-55 to 150 °C	40 ns	60 V	30@10V mOhm	20 ns	45 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK3128(Q) Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN toshiba	10	50: ¥16.83	Through Hole	Bulk	±20 V	3TO-3PN	Enhancement	-55 to 150 °C	75 ns	30 V	12@10V mOhm	12 ns	60 A	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Standard	150W	3V @ 1mA	66nC @ 10V	30V	2300pF @ 10V	60A (Ta)	Tube	TO-3P(N)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
5 2SK3176(F) Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN 2SK3176(F), N-channel MOSFET Transistor 30A 200V, 3-Pin TO-3PN MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm Toshiba , N沟道 MOSFET, 30 A, Vds=200 V, 3针 TO-3PN封装 toshiba	11	1: ¥24.49	Through Hole	Bulk	±20 V	3TO-3PN	Enhancement	-55 to 150 °C	25 ns	200 V	52@10V mOhm	15 ns	30 A	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	150W	3.5V @ 1mA	125nC @ 10V	200V	5400pF @ 10V	30A (Ta)	Tube	TO-3P(N)	Single	-	200 V	+/- 20 V	19mm	15.9mm	3	TO-3PN	Y	-	MOSFET	50	25 ns	150 W	增强	15 ns	N-Channel	1 Channel	1	0.052 Ω	150 W	150 W	200 V	0.052 Ω	30 A	4.8mm	Through Hole	TO-3PN	15.9 x 4.8 x 19mm	3	2SK3176	Si	Toshiba	Power MOSFET
4 2SK3767(Q,M) Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS MOSFET N-CH 600V 2A TO-220SIS toshiba	10	500: ¥3.9508	Through Hole	Bulk	±30 V	3TO-220SIS	Enhancement	-55 to 150 °C	20 ns	600 V	4500@10V mOhm	15 ns	2 A	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Standard	25W	4V @ 1mA	9nC @ 10V	600V	320pF @ 10V	2A (Ta)	Tube	TO-220SIS	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK3798(Q,M) Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS toshiba	10	50: ¥12.9404	Through Hole	Rail / Tube	±30 V	3TO-220NIS	Enhancement	-55 to 150 °C	45 ns	900 V	3500@10V mOhm	20 ns	4 A	Lead free / RoHS Compliant	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Standard	40W	4V @ 1mA	26nC @ 10V	900V	800pF @ 25V	4A (Ta)	Bulk	TO-220SIS	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2SK1359 Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN toshiba	-		Through Hole	Rail / Tube	±30 V	3TO-3PN	Enhancement	-55 to 150 °C	12 ns	1000 V	3800@10V mOhm	18 ns	5 A	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT50J301(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH) Toshiba , N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3针 TO-3PLH封装 toshiba	816	50: ¥62.00	通孔	-	-	-	N	+150 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	50 A	600 V	±20V	26mm	20.5mm	3	TO-3PLH	Y	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J322(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS toshiba	22	1: ¥38.30	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	3TO-3P(N)IS	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Single	30 A	-	-	-	-	-	-	-	600 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT5G103(Q) Trans IGBT Chip N-CH 400V 5A 3-Pin(2+Tab) Case DP toshiba	-		Surface Mount	Bulk	±6 V	3Case DP	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Single	5 A	-	-	-	-	-	-	-	400 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Toshiba Corporation- IGBT

IGBT - 型号列表

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

峰值脉冲电流（10/1000µs）

封装形式

下降时间（典型）

传播延迟（最大）

击穿电压

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs

漏源电压（Vdss）

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds

连续漏极电流（Id）@ 25°C

标准包装数量

最大栅源电压 Vgs

安装类型

通道类型

最大功率

Vgs(th)（最大）@ Id

集电极截止电流（最大）

工作温度

FET特性

包装方式

供应商器件封装

供电电压

栅极触发电压 Vgt (最大)

高度

长度

包装数量

最小输入电压